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晶圆外延工艺后测量平面度,高精度知晓厚度均匀性

文章出处:网责任编辑:作者:人气:-发表时间:2023-08-15 22:40:00

晶圆制备包含了衬底制备和外延工艺两大环节,外延(epitaxy)是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程,晶圆在未进行外延工艺之前都仅仅属于基材,无法直接进行封装等后续步骤。其中一项检测外延厚度是否均匀的数据就是平面度,外延工艺会受到各种条件因素影响出现厚度不均的情况,如衬底温度、反应腔气压、反应生长物及晶圆片表面清洗过程。如果外延厚度不均位于晶圆片表面制作晶体管器件的有源区域,将导致器件失效,所以晶圆在通过外延工艺制备后建议使用激光平面度测量仪对外延的厚度均匀性进行检测。

海科思平面度测量仪配备精密花岗岩机座,开放式工作台,方便取放工件,便于搭配自动化上下料系统可以更有效率的完成晶圆的平面度测量,该款测量仪可实现对平面的多点扫描或线扫描,一次性数据采集后通过软件计算,实时给出平面度(平整度翘曲度)误差测量判定,再一次提升晶圆平面度测量速度以及效率。激光平面度翘曲度测量仪的测量精度非常高,测量范围内重复精度<5um,加上不受情绪以及怠工影响,该款测量设备称得上是晶圆制备生产厂家的测量得力帮手。

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