芯片基材晶圆硅片应该如何测量?平面度以及厚度皆有方案|海科思自动化
晶圆、硅片作为芯片的基材一直都广受关注,自5G时代开始以来研发芯片都是我国的重点之一,晶圆需求也同步上涨更是成为了紧俏品,这与晶圆高精度外观要求息息相关。晶圆制备方法是硅锭切割再加工,切割技术、设备磨损、硅锭材料等因素都会影响切割后的晶圆外观尺寸,加上晶圆表面光洁度的严格要求,到底什么设备才能适用于晶圆的平面度、厚度、外观尺寸的测量呢?
晶圆切割时切割线的紧力与切割角度等各项环境因素都会致使晶圆平面度不足,晶圆片的平面度不均就会影响光刻胶各面积的受热程度,终会导致晶圆蚀刻CDuniformity均匀度不足。海科思激光平面度测量仪通过高精度激光对晶圆表面进行线扫描或者点扫描,然后再一次性数据采集后通过的平整度软件计算,可以在屏幕上直接看到晶圆的平整度、平面度、翘曲度等误差测量判定数据,并给出OK/NG的结果,省去了大量的人工成本以及计算时间。
晶圆经过蚀刻、打磨后都需要高精度测量厚度,晶圆厚度符合与否影响着后续的运输、封装等工序,晶圆太厚会致使划片刀快速磨损、厚度太薄会使晶圆在移动和制备的过程中发生崩角、断裂,加上散热、电阻率等因素致使晶圆厚度严格遵守设计标准。上下激光厚度测量仪采用上下两套进口激光测量系统,非接触式测量方法,防止刮伤产品,可单点测量,也可以多点测量,并通过测量软件保存测量数据,可以设定产品的公差,不合格产品显示出来快速完成晶圆厚度测量。
海科思有多套适用于半导体行业的测量设备,如有需求欢迎致电海科思全国服务热线:400-0528-668
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